相关市场调研报告《2016-2022年中国LED衬底、外延片及芯片市场产销调研及十三五投资战略规划报告》
近年来，LED 产业链中各环节的技术发展和工艺改进，推动了LED 成本大幅下降，促进了LED 应用全面发展。LED 外延生长和芯片制造是LED 生产过程中最为核心的环节，其技术发展水平决定了LED 应用的渗透范围。提高发光效率（lm/W）和降低单位成本（元/lm）是LED 外延芯片行业技术发展的主要目标。
发光效率是 LED 产品的标志性技术指标，发光效率除了影响LED 芯片的亮度及能耗外，也影响着LED 芯片的成本及可靠性。近年来，为了提高发光效率，研究人员在提升LED 内量子效率及光提取效率方面做了大量的研发工作，提出了PSS 衬底外延片、粗化外延表面、金属键合剥离、倒装芯片结构、垂直芯片结构等技术，使得LED 发光效率得到了大幅提升。目前，LED 光源器件的封装暖白发光效率已达到140lm/W 左右、封装冷白发光效率已达到170lm/W 左右，国际主流实验室水平已达到230lm/W。LED 行业领导者美国科锐公司2014 年3月发布了发光效率为303lm/W 的LED，实现LED 技术发光效率进一步提升。
近几年，由于我国政府政策支持及企业研发资金密集投入，并伴随大量我国台湾地区和韩国LED 产业技术专家和团队加入本土企业，国内LED 外延芯片企业的平均技术水平有了长足发展，已经达到国际先进水平。
降低外延、芯片成本对推广 LED 应用至关重要。近年来，研究人员从新技术、新结构、新工艺着手，通过技术创新，不断降低外延、芯片生产成本。根据预测，白光LED 封装的成本将从2009 年的25 美元/klm 降至2020年的0.7 美元/klm，LED 成本的终极目标为0.5 美元/klm，平均每年的成本下降在30%以上。
除发光效率及单位成本外，在LED 显示屏、背光源等应用领域，LED 芯片的光衰、亮度、色度一致性以及抗静电能力也是关系LED 应用的关键技术指标。
从用户体验及经济性考虑，降低光衰、保证芯片的均匀性、提高芯片抗静电能力以及在恶劣环境下的可靠性也是LED 外延芯片行业技术发展的重要方向。
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