2021年我国膜状扩散源行业相关政策汇总大力推进新型电力电子器件产业发展

2021-11-09 07:43

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1、行业主管部门、监管体制

根据国家统计局发布的《战略性新兴产业分类（2018）》，膜状扩散源所属行业属于“新一代信息技术产业”之“电子核心产业”之“新型电子元器件及设备制造”之“3972半导体分立器件制造”。

根据观研报告网发布的《2021年中国膜状扩散源行业分析报告-市场调查与运营商机前瞻》显示，膜状扩散源行业的主管部门为国家工业和信息化部，主要行业自律组织为中国半导体行业协会。

2、主要法规及产业政策

观研报告网发布的资料显示，我国相关部门制定了一系列支持膜状扩散源行业的法律法规和政策。

行业相关法律法规及政策

发文年度	文件名称	相关主要内容	颁发部门
2010年	《国家发展改革委办公厅关于组织实施2010年新型电力电子器件产业化专项的通知》	大力推进新型电力电子器件产业发展，努力掌握自主知识产权的芯片和器件的设计、制造技术，以市场带动产业，尽快形成芯片和器件的规模化生产能力和产业配套能力。重点支持金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、集成门极换流晶闸管（IGCT）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）、超快恢复二极管（FRD）等量大面广的新型电力电子芯片和器件的产业化。	国家发改委办公厅
2011年	《当前优先发展的高技术产业化重点领域指南（2011年度）》	将集成电路、信息功能材料与器件、新型元器件等列入重点领域，其中包括“中大功率高压绝缘栅双极晶体管（IGBT）、快恢复二极管（FRD）芯片和模块，中小功率智能模块；高电压的金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）；大功率集成门极换流晶闸管（IGCT）；6吋大功率晶闸管”。	国家发改委、科技部、工信部、商务部、知识产权局
2015年	《中国制造2025》	着力提升集成电路设计水平；提升封装产业和测试的自主发展能力；突破大功率电力电子器件、高温超导材料等关键元器件和材料的制造及应用技术，形成产业化能力。	国务院
2016年	《国家信息化发展战略纲要》	制定国家信息领域核心技术设备发展战略纲要，以体系化思维弥补单点弱势，打造国际先进、安全可控的核心技术体系，带动集成电路、基础软件、核心元器件等薄弱环节实现根本性突破。	中共中央办公厅、国务院办公厅
2016年	《“十三五”国家战略性新兴产业发展规划》	提升核心基础硬件供给能力。提升关键芯片设计水平，发展面向新应用的芯片；提升封装测试业技术水平和产业集中度；培育战略性新兴产业特色集群。	国务院
2017年	战略性新兴产业重点产品和服务指导目录（2016版）	将“电力电子功率器件，包括金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）、绝缘栅双极晶体管芯片（IGBT）及模块、快恢复二极管（FRD）、垂直双扩散金属-氧化物场效应晶体管（VDMOS）、可控硅（SCR）、5英寸以上大功率晶闸管（GTO）、集成门极换流晶闸管（IGCT）、中小功率智能模块”等列入目录。	国家发改委
2018年	《战略性新兴产业分类（2018）》	将半导体分立器件制造列为战略性新兴产业。	国家统计局
2019年	《关于政协十三届全国委员会第二次会议第2282号（公交邮电类256号）提案答复的函》	持续推进工业半导体材料、芯片、器件及IGBT模块产业发展，根据产业发展形势，调整完善政策实施细则，更好的支持产业发展。	工信部
2019年	《产业结构调整指导目录（2019年本）》	将“轨道车辆交流牵引传动系统、制动系统及核心元器件（含IGCT、IGBT、SiC元器件）”“新型电子元器件（片式元器件、频率元器件、混合集成电路、电力电子器件、光电子器件、敏感元器件及传感器、新型机电元件、高密度印刷电路板和柔性电路板等）制造”等列入鼓励类。	国家发改委
2021年	《基础电子元器件产业发展行动计划（2021—2023年）》	重点发展微型化、片式化阻容感元件，高频率、高精度频率元器件，耐高温、耐高压、低损耗、高可靠半导体分立器件及模块，小型化、高可靠、高灵敏度电子防护器件，高性能、多功能、高密度混合集成电路。面向我国蓬勃发展的高铁列车、民用航空航天、海洋工程装备、高技术船舶、能源装备等高端装备制造领域，推动海底光电缆、水下连接器、功率器件、高压直流继电器等高可靠电子元器件的应用。	工信部