| 时间 |
发布部门 |
政策 |
政策要点 |
| 2015-05 |
国务院 |
《中国制造2025》 |
突破大功率电力电子器件、高温超导材料等关键元器件和材料的制造及应用技术，形成产业化能力 |
| 2015-06 |
科技部 |
《科技部重点支持集成电路重点专项》 |
“核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品”和“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”列为国家重点科技专项。 |
| 2016-07 |
国务院 |
《国家信息化发展战略纲要》 |
构建先进技术体系。打造国际先进、安全可控的核心技术体系，带动集成电路、核心元器件等薄弱环节实现根本性突破 |
| 2016-07 |
国务院 |
《“十三五”国家科技创新规划》 |
规划提出：支持面向集成电路等优势产业领域建设若干科技创新平台；推动我国信息光电子器件技术和集成电路设计达到国际先进水平 |
| 2016-09 |
科技部等四部委 |
《推进“—带一路”建设科技创新合作专项规划》 |
共同开展高品质特殊钢等重点基础材料产业化关键技术，高性能膜材料、第三代半导体、纳米材料、光电材料、绿色节能建筑材料等先进材料制造技术合作研发 |
| 2016-11 |
国务院 |
《“十三五”国家战略性新兴产业发展规划》 |
启动集成电路重大生产力布局规划工程，实施一批带动作用强的项目，推动产业能力实现快速跃升 |
| 2016-12 |
国务院 |
《“十三五”国家信息化规划》 |
大力推进集成电路创新突破。加大面向新型计算、5G、智能制造、工业互联网、物联网的芯片设计研发部署，推动32/28nm、16/14nm工艺生产线建设，加快10/7nm工艺技术研发 |
| 2016-12 |
国家能源局 |
《能源技术创新“十三五”规划》 |
2015-2023年间实施化合物半导体能源材料应用示范：研究8英寸碳化硅衬底材料稳定制备技术，实现6英寸碳化硅晶体衬底材料批量生产；发展击穿电压大于5kV的GaN单晶生长技术，实现6英寸GaN单晶衬底的量产，研究高功率LED封装胶低成本国产化关键技术 |
| 2017-01 |
工信部、发改委 |
《信息产业发展指南》 |
加紧布局超越“摩尔定律”相关领域，推动特色工艺生产线建设和第三代化合物半导体产品开发，加速新材料、新结构、新工艺创新 |
| 2017-04 |
科技部 |
《“十三五”材料领域科技创新专项规划》 |
在总体目标、指标体系、发展重点等各方面均提出要大力发展第三代半导体材料 |
| 2018-06 |
工信部 |
《智能传感器产业三年行动指南(2017-2019年)》 |
总目标提出：涵盖智能传感器模拟与数字/数字与模拟转换(AD/DA)、专用集成电路(ASIC)、软件算法等的软硬件集成能力大幅攀升 |
| 2018-07 |
工信部、发改委 |
《扩大和升级信息消费三年行动计划（2018-2020年）》 |
各地工业和信息化、发展改革主管部门要进一步落实鼓励软件和集成电路产业发展的若干政策，加大现有支持中小微企业税收政策落实力度 |
| 2019-05 |
财政部、税务总局 |
《关于集成电路设计和软件产业企业所得税政策的公告》 |
依法成立且符合条件的集成电路设计企业和软件企业，在2018年12月31日前自获利年度起计算优惠期，第一年至第二年免征企业所得税，第三年至第五年按照25%的法定税率减半征收企业所得税，并享受至期满为止 |
| 2019-06 |
发改委、商务部 |
《鼓励外商投资产业目录(2019年版）》 |
支持引进SiC超细粉体，高纯超细氧化铝徽粉，高纯氮化铝(AIN)粉体等精密高性能陶瓷原料外资生产企业 |
| 2019-10 |
发改委 |
《产业结构调整指导目录(2019年本)》 |
“第一类鼓励类”：半导体、光电子器件、新型电子元器件（片式元器件、电力电子器件、光电子器件、敏感元器件及传感器、新型机电元件、高频徼波印制电路板、高速通信电路板、柔性电路板、高性能覆铜板等）等电子产品用材料 |
| 2019-12 |
工信部 |
《重点新材料首批次应用示范指导目录(2019版)》 |
推荐材料：氮化镓单晶衬底、功率器件用氮化镣外延片、碳化硅外延片、碳化硅单晶衬底、碳化硅陶瓷膜过滤材料、立方碳化硅微粉、氮化铝陶瓷粉体及基板等 |
| 2020-07 |
国务院 |
《新时期促迸集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》 |
国家鼓励的集成电路设计、装备、材料、封装、测试企业和软件企业，自获利年度起，第一年至第二年免征企业所得税，第三年至第五年按照25%的法定税率或减半征收企业所得税 |
同时，除了国家层面外，我国地方各级政府也在不断加大对第三代半导体产业支持力度，比如在科研奖励、人才培育等方面。
| 省市名称 |
政策 |
政策要点 |
| 北京市 |
《关于促进中关村顺义园第三代半导体等前沿半导体产业创新发展的若干措施》 |
一是支持第三代半导体等先进半导体企业开展新型器件设计以及衬底、外延、器件、模组、工艺线等制造环节辅助材料和关键核心设备的研发及成果转化，进一步提升关键环节核心器件、材料和制造装备的自主可控能力；二是支持企业投资新建大尺寸半导体工艺、材料、设备生产线 |
| 上海市 |
《中国(上海)自由贸易试验区临港新片区促进产业发展若干政策和集聚发展集成电路、人工智能、生物医药、航空航天产业若干措施》 |
对集成电路装备及材料类企业，年度销售收入首次突破5000万元、1亿元、5亿元、10亿元的，经认定后分别给予最高不超过200万元、800万元、1200万元、1500万元的一次性奖励，每上一个台阶奖励一次、实施晋档补差 |
| 广州市 |
《广州市加快发展集成电路产业发展的若干措施》 |
重点在智能传感器、功率半导体、逻辑、光电器件、混合信号、射频电路等领域，大力引进国内外骨干企业布局建设2-3条12英寸集成电路制造生产线，支持建设第三代半导体生产线，尽快形成产能规模 |
| 深圳市 |
《深圳市进一步推动集成电路产业发展行动计划》 |
1)大力引进境内外技术领先的第三代半导体企业，支持其建设射频器件和电力电子器件生产线，并形成配套材料和封装能力；2)鼓励通信设备、新能源汽车、电源系统等领域企业推广试用第三代半导体产品，提升系统和整机产品的竞争力；3)实施第三代半导体培育工程:重点引进第三代半导体射频通信器件、电力电子器件、光电器件的设计、制造、材料龙头企业和高层次创新团 |
| 济南市 |
《济南支持宽禁带半导体产业加快发展的若干政策》 |
支持济南高新区发展宽禁带半导体产业，聚魚发展金刚石等宽禁带半导体材料，加强规划策划，加快引进一批宽禁带半导体芯片和功率器件等重大项目 |
| 西安市 |
《西安市现代产业布局规划》 |
1)发展重点：重点突破碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等第三代宽禁带半导体用新型电子材料关键技术等。2)发展布局：以高新区为核心，打造光电能源新材料产业集群，重点发展新一代硅基半导体材料、化合物半导体材料等 |
| 长沙市 |
《长沙市加快新一代半导体和集成电路产业发展若干政策》 |
结合长沙产业发展实际，本政策主要支持集成电路设计和设备、第三代半导体、功率半导体器件及集成电路的行业融合应用；明确产业专项资金和基金，计划每年列支3亿元专项用于产业发展，基金规模可根据产业需求增至100亿元 |
| 成都市 |
《成都市人民政府办公厅关于促进电子信息产业高质量发展的实施意见》 |
打造国内领先的化合物半导体产业链。构建基于射频微波、功率等特色领域的化合物半导体产业链。优化GaAs/GaN生产工艺制程，培育一批骨干设计企业，积极引进配套封测企业和设计企业，研发量产5G中高频芯片、器件，超前布局太赫兹芯片 |
| 江西省 |
《京九(江西)电子信息产业带发展规划》 |
依托南昌光谷基础，以硅衬底LED技术为主线，积极发展蓝宝石、碳化硅衬底LED产品 |
| 山西省 |
《山西省加快推进数字经济发展实施意见和若干政策》 |
围绕5G、电力电子、LED等关键应用，重点支持太原碳化硅、氮化镓第三代半导体、红外探测芯片，忻州砷化镓第二代半导体，长治深紫外半导体等光电半导体产业发展 |
| 浙江省 |
《浙江省加快新材料产业发展行动计划(2019-2022年)》 |
重点发展电子级多晶硅、200毫米和300毫米单晶硅片、大尺寸碳化硅单晶、氮化镓晶片等先进半导体材料 |
| 福州市 |
《关于加快培育一批产业基地打造新经济增长点的意见》 |
培育发展具有自主知识产权的高端光电子芯片、光电子器件产品，抢抓发展机遇，拓宽应用领域，引领光电子产业发展，重点引进第三代半导体、人工智能芯片以及芯片封装测试项目 |
| 厦门市 |
《加快发展集成电路产业实施细则》 |
鼓励在厦门新建(扩建)的集成电路生产线(项目)、化合物半导体器件制造、模块、外延片生产项目(企业)、微机电系统(MEMS)、功率半导体器件和特色工艺项目(企业) |
欲了解更多内容，请参阅我们的行业分析报告：
《2021年中国第三代半导体材料市场调研报告-市场现状与未来商机分析》
《2020年中国半导体材料市场调研报告-行业现状与发展动向研究》
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